삼성전자, 두번째 EUV 파운드리 라인 구축…TSMC 추격 고삐 죈다
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삼성전자, 두번째 EUV 파운드리 라인 구축…TSMC 추격 고삐 죈다
  • 김상혁 기자
  • 승인 2020.05.21 14:25
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화성에 이어 평택에 EUV 파운드리 생산 시설 확충
비메모리 반도체 글로벌 1위 목적
7나노 이하 적용, 내년부터 생산 규모 증가
삼성전자의 두 번쨰 EUV 파운드리 라인이 들어서는 경기도 평택캠퍼스. 사진=삼성전자 제공
삼성전자의 두 번쨰 EUV 파운드리 라인이 들어서는 경기도 평택캠퍼스. 사진=삼성전자 제공

[오피니언뉴스=김상혁 기자] 오는 2030년 시스템반도체 부문 글로벌 1위를 목표로 하는 '반도체 비전 2030'을 천명한 삼성전자가 경기도 평택 캠퍼스에 파운드리 생산 시설을 구축한다. 이는 EUV(Extreme Ultra Violet•극자외선) 기반 최첨단 제품 수요 증가에 대응하기 위해서다.

21일 삼성전자는 지난 2월 경기도 화성에 구축한 EUV 전용 'V1 라인' 가동에 이어 평택까지 파운드리 라인을 구축한다고 발표했다. 이달 평택 파운드리 라인 공사에 착수했으며, 2021년 하반기부터 본격 가동할 계획이다.

반도체 시장은 메모리와 비메모리로 나뉜다. 비메모리 부문은 전체 반도체 시장의 70% 정도를 차지한다. 삼성전자는 메모리 분야에서는 압도적인 글로벌 1위지만 비메모리 분야에서는 TSMC를 추격하는 입장이다. 시장조사기관 트렌드포스에 따르면 TSMC는 올해 1분기 파운드리 시장 점유율 54.1%를, 삼성전자는 15.9%를 차지했다.

지난해 4월 삼성전자는 '반도체 비전 2030'을 발표했다. 파운드리와 시스템 반도체에 133조원을, 그 중 설비에만 60조원을 투자한다는 내용이다. 이번 투자는 '반도체 비전 2030' 후속 조치의 일환으로 글로벌 1위인 대만의 TSMC를 넘기 위한 세부 전략 중 하나다.

또 글로벌 파운드리 시장은 5G, HPC, AI, 네트워크 등 신규 응용처 확산에 따라 초미세 공정 중심의 성장이 예상된다. 삼성전자는 프리미엄 모바일 칩을 필두로 하이엔드 모바일 및 신규 응용처로 첨단 EUV 공정 적용을 확대해 나간다는 방침이다.

EUV는 반도체 미세공정에 반드시 필요한 기술로 7나노 이하부터 적용된다. 현재 7나노 이하 미세공정 기술력을 갖춘 곳은 삼성전자와 TSMC 둘 뿐이다.

삼성전자는 2019년 화성 S3 라인에서 업계 최초로 EUV 기반 7나노 양산을 시작했다. 이후 2020년 V1 라인을 통해 초미세 공정 생산 규모를 지속 확대해 왔다. 여기에 2021년 평택 라인이 가동되면 7나노 이하 초미세 공정 기반 제품의 생산 규모는 더욱 가파르게 증가할 전망이다.

또한 삼성전자는 지난해 4월 EUV를 기반으로 5나노 공정개발에 성공했다. 5나노는 7나노 대비 로직면적은 25% 줄이면서도 전력효율은 20%, 종합 성능은 10% 끌어올리며 생산성을 극대화했다.  삼성전자는 올해 하반기 화성에서 5나노 제품을 먼저 양산한 뒤 평택 파운드리 라인에서도 주력 생산할 예정이다.

정은승 삼성전자 DS부문 파운드리사업부 사장은 "5나노 이하 공정 제품의 생산 규모를 확대해 EUV 기반 초미세 시장 수요 증가에 적극 대응해 나갈 것"이라며 "전략적 투자와 지속적인 인력 채용을 통해 파운드리 사업의 탄탄한 성장을 이어나갈 것"이라고 밝혔다.


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