업계 유일 100단 이상 셀 단일공정 구현
SSD‧eUFS 등 신제품 출시 계획
[오피니언뉴스=김솔이 기자] 삼성전자가 세계 최초로 6세대(1xx단) 256기가비트(Gb) 3비트 V낸드를 기반으로 한 기업용 PC 솔리드스테이트드라이브(SSD)를 양산, 글로벌 PC 업체에 공급했다.
삼성전자는 6세대 V낸드를 통해 역대 최고 데이터 전송 속도와 양산성을 동시에 구현했다고 6일 밝혔다. 피라미드 모양으로 쌓은 3차원 CTF(Charge Trap Flash) 셀을 최상단에서 최하단까지 수직으로 한 번에 균일하게 뚫는 공정 기술을 적용해 9x단 이상 V낸드를 생산하는 곳은 현재 업계에서 삼성전자가 유일하다.
특히 초고난도의 채널 홀 에칭(Channel Hole Etching) 기술로 5세대 V낸드 보다 단수를 약 1.4배나 높인 6세대 V낸드를 성공적으로 양산했다. 6세대 V낸드는 전기가 통하는 몰드(Mold) 층을 136단 쌓은 후 미세한 원통형의 구멍을 단번에 뚫어 셀 구조물을 연결함으로써 균일한 특성의 3차원 CTF셀을 만들어 냈다.
일반적으로 적층 단수가 높아질수록 층간의 절연상태를 균일하게 유지하기 어렵고 전자의 이동경로도 길어진다. 이로 인해 낸드의 동작 오류가 증가하면 데이터 판독시간이 지연된다. 삼성전자는 이 기술 한계를 극복하기 위해 6세대 V낸드에 초고속 설계 기술을 적용해 3비트 V낸드 역대 최고 속도(데이터 쓰기시간 450㎲ 이하‧읽기응답 대기시간 45㎲ 이하)를 달성했다. 전 세대 보다 10% 이상 성능을 높이면서도 동작 전압을 15% 이상 줄였다.
삼성전자는 또 6세대 V낸드에서 6억7000만개 미만의 채널 홀로 256Gb 용량을 구현함으로써 5세대 V낸드(9x단‧약 9억3000만개 채널 홀) 대비 공정 수와 칩 크기를 줄여 생산성을 20% 이상 향상시켰다.
특히 6세대 V낸드는 단일공정(1 Etching Step)을 적용해 세 번만 쌓아도 300단 이상의 초고적층 차세대 V낸드를 만들 수 있어 제품 개발 주기를 더 단축할 수 있다.
삼성전자는 차세대 플래그십 스마트폰에서 요구하는 초고속 초절전 특성을 업계 최초로 구현하면서 향후 글로벌 모바일 시장 선점에 적극 나선다는 계획이다. 또한 차세대 엔터프라이즈 서버 시장의 고용량화를 주도함과 동시에 높은 신뢰성을 요구하는 자동차 시장까지 3차원 V낸드의 사업 영역을 계속 넓혀 나갈 예정이다.
아울러 기업용 250기가바이트(GB) SATA PC SSD 양산을 시작으로 글로벌 고객 수요 확대에 맞춰 올해 하반기 512Gb 3비트 V낸드 기반 SSD와 eUFS(embedded Universal Flash Storage) 등 다양한 용량‧규격의 신제품을 계속 출시할 계획이다.
경계현 삼성전자 메모리사업부 솔루션 개발실장 부사장은 “2세대 앞선 초고난도 3차원 메모리 양산 기술을 확보해 속도와 전력효율을 더욱 높인 메모리 라인업을 적기에 출시했다”며 “향후 차세대 라인업의 개발 일정을 더 앞당겨 초고속 초고용량 SSD시장을 빠르게 확대시켜 나갈 것”이라고 밝혔다.
저작권자 © 오피니언뉴스 무단전재 및 재배포 금지
