`기술로 극복` 삼성전자, 세계최초 3세대 10나노급 DDR4 D램
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`기술로 극복` 삼성전자, 세계최초 3세대 10나노급 DDR4 D램
  • 김솔이 기자
  • 승인 2019.03.21 15:46
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[오피니언뉴스=김솔이 기자] 삼성전자는 21일 '3세대 10나노급(1z) 8Gb(기가비트) DDR4(Double Data Rate 4) D램’을 세계 최초로 개발했다고 밝혔다.

삼성전자는 2세대 10나노급(1y) D램을 양산한지 16개월만에 3세대 10나노급(1z) 8Gb DDR4 D램을 개발함으로써 기술력 우위를 확인했다.

3세대 10나노급(1z) D램은 초고가의 EUV 장비를 사용하지 않고도 기존 10나노급(1y) D램보다 생산성을 20% 이상 향상시키고, 속도 증가로 전력효율을 개선하는데 유용하다.

회사는 3세대 10나노급(1z) D램 기반 PC용 DDR4 모듈로 글로벌 CPU 업체의 모든 평가 항목에서 승인을 획득, 글로벌 IT 고객의 수요를 개척할 수 있게 됐다.

▲ 삼성전자가 세계 최초로 개발한 3세대 10나노급 DDR4 D램.

 

회사는 2019년 하반기에 3세대 10나노급(1z) D램을 본격 양산하고, 2020년에는 성능과 용량을 동시에 높인 차세대 D램(DDR5, LPDDR5 등)을 본격 공급하는 등 최첨단 공정 기반 프리미엄 메모리 기술 리더십을 더욱 강화해 나갈 계획이다.

삼성전자는 또 글로벌 주요 고객들과 차세대 시스템 개발단계부터 적극 협력해 글로벌 시장을 차세대 라인업으로 빠르게 전환시켜 나갈 예정이다.

삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실 이정배 부사장은 “미세공정 한계를 극복한 혁신적인 D램 기술 개발로 초고속 초절전 차세대 라인업을 적기에 출시하게 됐다”며, “향후 프리미엄 D램 라인업을 지속적으로 늘려 글로벌 고객의 차세대 시스템 적기 출시 및 프리미엄 메모리 시장의 빠른 성장세 실현에 기여해 나갈 것”이라고 말했다.

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