[오피니언뉴스=박대웅 기자] 삼성전자가 초고용량 서버용 솔리드스테이트드라이브(SSD)를 위한 '1테라바이트(Tb) 쿼드러플레벨셀(QLC) 9세대 V낸드'를 업계 최초로 양산했다. 낸드는 반도체 셀을 직렬로 배열한 플래시 메모리의 한 종류로 메모리카드, USB, SSD 등 저장 장치에 사용된다.

삼성전자가 이번에 내놓은 QLC 9세대 V낸드는 몰드층(반도체 셀을 동작시키는 층)을 순차적으로 쌓아 단 한번에 전자가 이동하는 홀(채널 홀)을 만드는 기술인 '채널 홀 에칭'을 활용했다. 이를 통해 업계 최고 단수를 구현했다고 삼성전자는 13일 설명했다. 

특히 이번 QLC 9세대 V낸드는 셀과 셀의 동작을 관장하는 각종 회로들로 구성된 '페리' 면적을 최소화해 이전 세대 QLC V낸드 대비 비트 밀도가 약 86% ㅈ증가했다. 이는 업계 최고 수준으로 비트 밀도는 단위 면적당 저장되는 비트의 수를 말한다.

또 셀의 상태 변화를 예측해 불필요한 동작을 최소화하는 '예측 프로그램' 기술을 적용해 이전 세대 대비 입력 성능은 100%, 출력 속도는 60% 개선했다. 아울러 낸드 셀을 구동하는 전압을 낮춰고 전력 소모를 최소화한 저전력 설계를 통해 데이터 입력 및 출력 소비 전력도 각각 약 30%와 50% 줄였다.

허성회 삼성전자 메모리사업부 플래시개발실 부사장은 "최근 인공지능(AI) 수요가 급증하고 있는 기업용 SSD 시장에서 리더십이 더욱 부각될 것"이라고 말했다. 

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